NDS331N MOSFET N-Ch LL FET жогорулатуу режими
♠ Продукт Description
| Продукт атрибуту | Атрибут наркы |
| Өндүрүүчү: | onsemi |
| Продукт категориясы: | MOSFET |
| Технология: | Si |
| Монтаждоо стили: | SMD/SMT |
| Пакет / Иш: | СОТ-23-3 |
| Транзистордун полярдуулугу: | N-канал |
| Каналдардын саны: | 1 Канал |
| Vds - Дренаж булагынын бузулуу чыңалышы: | 20 V |
| Id - Үзгүлтүксүз төгүү агымы: | 1.3 А |
| Rds On - Дренажга каршылык: | 210 мОм |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 В, + 8 В |
| Vgs th - Gate-Source Босого чыңалуу: | 500 мВ |
| Qg - Gate заряды: | 5 нC |
| Минималдуу иштөө температурасы: | - 55 С |
| Максималдуу иштөө температурасы: | + 150 С |
| Pd - Энергияны бөлүштүрүү: | 500 мВт |
| Канал режими: | Өркүндөтүү |
| Таңгактоо: | Reel |
| Таңгактоо: | Cut Tape |
| Таңгактоо: | MouseReel |
| Бренд: | onsemi / Fairchild |
| Конфигурация: | Бойдок |
| Кулоо убагы: | 25 ns |
| Бийиктиги: | 1,12 мм |
| Узундугу: | 2,9 мм |
| Продукт: | MOSFET Чакан сигнал |
| Продукт түрү: | MOSFET |
| Өтүү убактысы: | 25 ns |
| Сериялар: | NDS331N |
| Завод пакетинин саны: | 3000 |
| Субкатегория: | MOSFETs |
| Транзистор түрү: | 1 N-канал |
| Түрү: | MOSFET |
| Адаттагы өчүрүү кечигүү убактысы: | 10 ns |
| Адаттагы күйгүзүү кечигүү убактысы: | 5 ns |
| Туурасы: | 1,4 мм |
| Бөлүм # лакап аттар: | NDS331N_NL |
| Бирдик Салмагы: | 0.001129 oz |
♠ N-каналдын логикалык деңгээлин жогорулатуу режими Field Effect Transistor
Бул N−Channel логикалык деңгээлин жогорулатуу режиминин кубаттуулук талаасынын эффективдүү транзисторлору ON Semiconductor'дун менчик, жогорку клетка тыгыздыгы, DMOS технологиясын колдонуу менен өндүрүлгөн.Бул өтө жогорку тыгыздык процесси өзгөчө абалдагы каршылыкты азайтуу үчүн ылайыкташтырылган.Бул түзмөктөр өзгөчө ноутбуктардагы, портативдик телефондордогу, PCMCIA карталарындагы жана башка батарея менен иштөөчү схемалардагы төмөнкү чыңалуудагы тиркемелер үчүн ылайыктуу, мында өтө кичинекей контур бетине орнотулган пакетте тез которуштуруу жана аз линиядагы электр энергиясын жоготуу талап кылынат.
• 1,3 А, 20 В
♦ RDS(күйгүзүлгөн) = 0,21 @ VGS = 2,7 В
♦ RDS(күйгүзүлгөн) = 0,16 @ VGS = 4,5 В
• Industry Standard Outline SOT−23 Surface Mount Package колдонуу
Жогорку жылуулук жана электрдик мүмкүнчүлүктөр үчүн менчик SUPERSOT−3 дизайны
• Абдан төмөн RDS үчүн жогорку тыгыздыктагы клетканын дизайны(күйгүзүлгөн)
• Өзгөчө күйгүзүү-каршылык жана максималдуу туруктуу ток жөндөмдүүлүгү
• Бул Pb−Free түзмөк
