NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Продукт Description
| Продукт атрибуту | Атрибут наркы |
| Өндүрүүчү: | onsemi |
| Продукт категориясы: | MOSFET |
| RoHS: | Толук маалымат |
| Технология: | Si |
| Монтаждоо стили: | SMD/SMT |
| Пакет / Иш: | SO-8FL-4 |
| Транзистордун полярдуулугу: | N-канал |
| Каналдардын саны: | 1 Канал |
| Vds - Дренаж булагынын бузулуу чыңалышы: | 30 V |
| Id - Үзгүлтүксүз төгүү агымы: | 52 А |
| Rds On - Дренажга каршылык: | 4,73 мОм |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Gate-Source Босого чыңалуу: | 2.2 V |
| Qg - Gate заряды: | 22,2 нС |
| Минималдуу иштөө температурасы: | - 55 С |
| Максималдуу иштөө температурасы: | + 150 С |
| Pd - Энергияны бөлүштүрүү: | 6 В |
| Канал режими: | Өркүндөтүү |
| Таңгактоо: | Reel |
| Таңгактоо: | Cut Tape |
| Таңгактоо: | MouseReel |
| Бренд: | onsemi |
| Конфигурация: | Бойдок |
| Продукт түрү: | MOSFET |
| Сериялар: | NTMFS4C028N |
| Завод пакетинин саны: | 1500 |
| Субкатегория: | MOSFETs |
| Бирдик Салмагы: | 0.026455 унц |
• Өткөрүүдөгү жоготууларды азайтуу үчүн төмөн RDS(күйгүзүү).
• Айдоочунун жоготууларын азайтуу үчүн төмөн сыйымдуулук
• Которуу жоготууларын азайтуу үчүн оптималдаштырылган Gate заряды
• Бул түзмөктөр Pb−Free, Halogen Free/BFR Free жана RoHS ылайыктуу
• CPU кубаттуулугун жеткирүү
• DC−DC конвертерлери
