SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
♠ Продукт Description
| Продукт атрибуту | Атрибут наркы |
| Өндүрүүчү: | Вишай |
| Продукт категориясы: | MOSFET |
| RoHS: | Толук маалымат |
| Технология: | Si |
| Монтаждоо стили: | SMD/SMT |
| Пакет/кеп: | SOIC-8 |
| Транзистордун полярдуулугу: | P-канал |
| Каналдардын саны: | 1 Канал |
| Vds - Дренаж булагынын бузулуу чыңалышы: | 30 V |
| Id - Үзгүлтүксүз төгүү агымы: | 5.7 А |
| Rds On - Дренажга каршылык: | 42 мОм |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 В, + 10 В |
| Vgs th - Gate-Source Босого чыңалуу: | 1 V |
| Qg - Gate заряды: | 24 нC |
| Минималдуу иштөө температурасы: | - 55 С |
| Максималдуу иштөө температурасы: | + 150 С |
| Pd - Энергияны бөлүштүрүү: | 2,5 Вт |
| Канал режими: | Өркүндөтүү |
| Соода аты: | TrenchFET |
| Таңгактоо: | Reel |
| Таңгактоо: | Cut Tape |
| Таңгактоо: | MouseReel |
| Бренд: | Vishay Semiconductors |
| Конфигурация: | Бойдок |
| Кулоо убагы: | 30 ns |
| Алдыга өткөргүчтүк - Мин: | 13 С |
| Продукт түрү: | MOSFET |
| Өтүү убактысы: | 42 ns |
| Сериялар: | SI9 |
| Завод пакетинин саны: | 2500 |
| Субкатегория: | MOSFETs |
| Транзистор түрү: | 1 P-канал |
| Адаттагы өчүрүү кечигүү убактысы: | 30 ns |
| Адаттагы күйгүзүү кечигүү убактысы: | 14 ns |
| Бөлүм # лакап аттар: | SI9435BDY-E3 |
| Бирдик Салмагы: | 750 мг |
• IEC 61249-2-21 аныктамасына ылайык галогенсиз
• TrenchFET® Power MOSFET
• RoHS Директивасына 2002/95/EC ылайык келет
