SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
♠ Продукт Description
| Продукт атрибуту | Атрибут наркы |
| Өндүрүүчү: | Вишай |
| Продукт категориясы: | MOSFET |
| Технология: | Si |
| Монтаждоо стили: | SMD/SMT |
| Пакет / Иш: | ТО-252-3 |
| Транзистордун полярдуулугу: | P-канал |
| Каналдардын саны: | 1 Канал |
| Vds - Дренаж булагынын бузулуу чыңалышы: | 60 В |
| Id - Үзгүлтүксүз төгүү агымы: | 50 А |
| Rds On - Дренажга каршылык: | 60 мОм |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Gate-Source Босого чыңалуу: | 3 V |
| Qg - Gate заряды: | 40 нC |
| Минималдуу иштөө температурасы: | - 55 С |
| Максималдуу иштөө температурасы: | + 150 С |
| Pd - Энергияны бөлүштүрүү: | 113 В |
| Канал режими: | Өркүндөтүү |
| Соода аты: | TrenchFET |
| Таңгактоо: | Reel |
| Таңгактоо: | Cut Tape |
| Таңгактоо: | MouseReel |
| Бренд: | Vishay Semiconductors |
| Конфигурация: | Бойдок |
| Кулоо убагы: | 30 ns |
| Алдыга өткөргүчтүк - Мин: | 22 С |
| Продукт түрү: | MOSFET |
| Өтүү убактысы: | 9 ns |
| Сериялар: | SUD |
| Завод пакетинин саны: | 2000 |
| Субкатегория: | MOSFETs |
| Транзистор түрү: | 1 P-канал |
| Адаттагы өчүрүү кечигүү убактысы: | 65 ns |
| Адаттагы күйгүзүү кечигүү убактысы: | 8 ns |
| Бөлүм # лакап аттар: | SUD19P06-60-BE3 |
| Бирдик Салмагы: | 0.011640 oz |
• IEC 61249-2-21 аныктамасына ылайык галогенсиз
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% UIS сыналган
• RoHS Директивасына 2002/95/EC ылайык келет
• Full Bridge Converter үчүн High Side Switch
• ЖК дисплей үчүн DC/DC Converter
