VNS3NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Продукт Description
| Продукт атрибуту | Атрибут наркы |
| Өндүрүүчү: | STMicroelectronics |
| Продукт категориясы: | Gate Drivers |
| RoHS: | Толук маалымат |
| Продукт: | MOSFET Gate айдоочулары |
| Түрү: | Төмөнкү тарап |
| Монтаждоо стили: | SMD/SMT |
| Пакет / Иш: | SOIC-8 |
| Айдоочулардын саны: | 2 Айдоочу |
| Чыгуулардын саны: | 2 Output |
| Чыгуу ток: | 5 А |
| Берүү чыңалуу - Макс: | 24 V |
| Өтүү убактысы: | 250 ns |
| Кулоо убагы: | 250 ns |
| Минималдуу иштөө температурасы: | - 40 С |
| Максималдуу иштөө температурасы: | + 150 С |
| Сериялар: | VNS3NV04DP-E |
| Квалификация: | AEC-Q100 |
| Таңгактоо: | Reel |
| Таңгактоо: | Cut Tape |
| Таңгактоо: | MouseReel |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Нымдуулукка сезгич: | Ооба |
| Операциялык камсыздоо ток: | 100 uA |
| Продукт түрү: | Gate Drivers |
| Завод пакетинин саны: | 2500 |
| Субкатегория: | PMIC - Power Management ICs |
| Технология: | Si |
| Бирдик Салмагы: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II толугу менен автоматтык түрдө корголгон Power MOSFET
VNS3NV04DP-E аппараты стандарттуу SO-8 пакетинде жайгашкан эки монолиттүү чиптерден (OMNIFET II) турат.OMNIFET II STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 технологиясын колдонуу менен иштелип чыккан жана 50 кГцге чейинки DC тиркемелеринде стандарттык Power MOSFETтерди алмаштыруу үчүн арналган.
Камтылган термикалык өчүрүү, сызыктуу ток чектөө жана ашыкча чыңалуу кысгыч катаал чөйрөдө чипти коргойт.
Мүчүлүштүктөрдүн пикири киргизүү пининдеги чыңалууга мониторинг жүргүзүү аркылуу аныкталышы мүмкүн
■ ECOPACK®: коргошунсуз жана RoHS менен шайкеш келет
■ Автомобилдик класс: AEC көрсөтмөлөрүнө ылайык келүү
■ Сызыктуу токтун чектөөсү
■ Термикалык өчүрүү
■ Кыска туташуулардан коргоо
■ Интегралдык кыскыч
■ Киргизүү пининен аз ток тартылат
■ Киргизүү пин аркылуу диагностикалык пикир
■ ТӨБ коргоо
■ Power MOSFET дарбазасына түз кирүү (аналогдук айдоо)
■ Стандарттык Power MOSFET менен шайкеш келет
