NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Продукт Description
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de Producto: | MOSFET |
| RoHS: | Деталлес |
| Технология: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
| Полидад дель транзистор: | N-канал |
| Número de canales: | 2 канал |
| Vds - Tensión disruptiva entre канале y fuente: | 60 В |
| Id - Corriente de kanale continua: | 295 мА |
| Rds On - Resistencia entre канале y fuente: | 1,6 Ом |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 900 PC |
| Минималдуу температура: | - 55 С |
| Максималдуу температура: | + 150 С |
| Dp - Disipación de Potencia : | 250 мВт |
| Модо каналы: | Өркүндөтүү |
| Empaquetado: | Reel |
| Empaquetado: | Cut Tape |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Конфигурация: | Dual |
| Tiempo de caída: | 32 ns |
| Altura: | 0,9 мм |
| Узундук: | 2 мм |
| Типо де продукт: | MOSFET |
| Тиемпо де subida: | 34 ns |
| Сериялар: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Транзистордун түрү: | 2 N-канал |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 ns |
| Тиемпо típico de demora de encendido: | 22 ns |
| Анчо: | 1,25 мм |
| Песо де ла унидад: | 0.000212 oz |
• Төмөн RDS(күйгүзүлгөн)
• Төмөн дарбаза босогосу
• Төмөн киргизүү сыйымдуулугу
• ESD корголгон дарбаза
• Уникалдуу сайтты жана башкарууну өзгөртүү талаптарын талап кылган унаа жана башка колдонмолор үчүн NVJD префикси;AEC−Q101 квалификациялуу жана PPAP жөндөмдүү
• Бул Pb−Free түзмөк
•Төмөн жагындагы жүктөө которгучу
• DC−DC конвертерлери (Бак жана Boost схемалары)
